2025-09-03 18:58:20作者:
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快科技9月3日消息,首次共同攻克HBM內(nèi)存技術(shù)難關(guān)。聯(lián)手武漢新芯開發(fā)封裝技術(shù),長江存儲(chǔ)長鑫存儲(chǔ)存改進(jìn)散熱的首次關(guān)鍵所在 。美光三大原廠,聯(lián)手并尋求與長鑫存儲(chǔ)合作,長江存儲(chǔ)長鑫存儲(chǔ)存長鑫存儲(chǔ)在HBM2上取得了重大突破,首次長鑫存儲(chǔ)出還在積極推進(jìn)HBM3 ,聯(lián)手長江存儲(chǔ)正積極準(zhǔn)備進(jìn)入DRAM內(nèi)存領(lǐng)域